概述
PW7152 采用 SOT23， 6 引腳的封裝形式， PW7152 是一款基于 CMOS 的雙節(jié)可充電鋰電池保護電路，它
集高精度過電壓充電保護、過電壓放電保護、過電流充電保護、過電流放電保護、電池短路保護等性能于一身。
特點
? 兩節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池的理想保護電路
? 過電壓充電保護閾值 VOCUTYP/VOCDTYP : 4.25V （ ±25 mV ），過電壓充電恢復(fù)閾值 VOCRUTYP/ VOCRDTYP : 4.05V （ ±50 mV ）
? 過電壓放電保護閾值 VODUTYP/ VODDTYP : 2.5V （ ±25 mV ） ，過電壓放電恢復(fù)閾值 VODRUTYP/ VODRDTYP :3.0V （ ±100 mV ）
? 過電流放電保護閾值 VEDITYP : 0.2V （ ±30 mV ）， 過電流充電保護閾值 VECITYP : -0.2V （ ±30 mV ）
? 過電壓充電保護延遲時間 tOCTYP : 1s （ ±30% ） ， 過電壓放電保護延遲時間 tODTYP : 128ms （ ±30% ）
? 過電流放電保護延遲時間 tEDITYP : 12ms （ ±30% ） , 過電流充電保護延遲時間 tECITYP : 8ms （ ±30% ）
? 低供電電流 ,
? 在低功耗模式，不接充電器情況下，可自動恢復(fù)狀態(tài)
? 電池短路保護
? 縮短延遲時間測試功能
? 0V 電池充電功能
? 極少的外圍元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封裝

應(yīng)用
? 兩節(jié)鋰電池的充電、放電保護電路
? 電話機電池或其它兩節(jié)鋰電池高精度保護器
代理商：深圳市夸克微科技 鄭先生 ：13528458039 QQ 2867714804
典型應(yīng)用電路



功能描述
PW7152 是一款高精度的兩節(jié)鋰電池保護電路。正常狀態(tài)下 , 可以對電池進行充電或放電。 PW7152 一直檢
測兩個電池電壓以及 VM 端和 VSS 端的電壓差，當某個電壓超出正常閾值范圍時，充電控制端 COUT 或放電控制
端 DOUT 由高電平轉(zhuǎn)為低電平，從而使外接充電 / 放電控制 N-MOSFET 管 Q1 或 Q2 關(guān)閉，充電 / 放電回路被 “ 切
斷 ” ，即 PW7152 進入相應(yīng)的保護狀態(tài)。 PW7152 支持以下 4 種保護模式。
? 過電壓充電保護狀態(tài) (OC)
? 過電壓放電保護 (OD)/ 低功耗狀態(tài) (PDWN)
? 過電流放電保護 (EDI)/ 電池短路保護狀態(tài) (Short)
? 過電流充電保護 (ECI)
正常狀態(tài)下， PW7152 由電池供電。當兩節(jié)電池電壓（VBATU /VBATD )都在過電壓充電保護閾值（VOCU/D ）和過
電壓放電保護閾值（VODU/D ）之間，且其 VM 檢測端電壓在過電流充電保護閾值（VECI ）和過電流放電保護閾值（VEDI ）
之間，此時 PW7152 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 和放電控制
N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通。這時，既可以使用充電器對電池充電，也可以通過負載使電池放電。
PW7152 通過檢測兩個電池電壓來進行過充/放電保護。當充/放電保護條件發(fā)生時， COUT /DOUT 由高電平變
為低電平，使 Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?，從而?放電過程停止。 PW7152 對每種保護狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件，
當恢復(fù)條件滿足以后， COUT /DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通，從而進入正常狀態(tài)。
PW7152 對每種保護/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時間，只有在保護/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時間以后， 才
進行相應(yīng)的保護/恢復(fù)。如果保護/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時間以前消除，則不進入保護/恢復(fù)狀態(tài)。 當 VM 小于-5V，
VDD 從 0V 升高至正常值時，芯片將進入快速檢測模式，縮短延遲時間，并禁止過電流充電保護功能。過電壓充電
檢測和過電壓放電檢測延遲時間會縮短到將近 1ms，這能有效地縮短保護電路 PCB 的檢測時間。當 VM 升高至
0V 以上時，芯片將退出快速檢測模式。
當 PW7152 在某一保護狀態(tài)時，如果滿足一定條件，即恢復(fù)到正常狀態(tài)。下面對各狀態(tài)進行詳細描述。
正常狀態(tài) :
在正常狀態(tài)下， PW7152 由電池供電。 當兩節(jié)電池電壓（ VBATU /VBATD )都在過電壓充電保護閾值（ VOCU/D）
和過電壓放電保護閾值（ VODU/D）之間，且其 VM檢測端電壓在過電流充電保護閾值（ VECI）和過電流放電保護閾
值（ VEDI） 之間，此時 PW7152 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOSFET 管
Q1 和放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通。這時，既可以使用充電器對電池充電，也可以通過負載使電池放電。
過電壓充電保護狀態(tài)（OC） ：
保護條件
正常狀態(tài)下，對電池進行充電，如果使任何一個電池 電 壓 （ VBATU /VBATD ） 超 過 過 電 壓 充 電 保 護
閾 值 (VOCU/D ），且持續(xù)時間超過過電壓充電保護延遲時間（ tOC ），則 PW7152 將使充電控制端 COUT 由高電平轉(zhuǎn)
為 VM 端電平（低電平），從而使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 關(guān)閉，充電回路被 “ 切斷 ” ，即 PW7152 進入過
電壓充電保護狀態(tài)。
恢復(fù)條件：
有以下兩種條件可以使 PW7152 從過電壓充電保護狀態(tài)恢復(fù)到正常狀態(tài)：
1）電池由于“自放電” 使電池電壓（VBATU /VBATD ）低于過電壓充電恢復(fù)閾值（VOCRU/D ）， VM 端電壓低于過電
流放電保護閾值（VEDI ），且持續(xù)時間超過過電壓充電恢復(fù)延遲時間（tOCR )；
2 ）通過負載使電池放電（注意，此時雖然 Q1 關(guān)閉，但由于其體內(nèi)二極管的存在，使放電回路仍然存在），當
電池電壓（ VBATU /VBATD ） 低于過電壓充電保護閾值（ VOCU/D ）， VM 端電壓高于過電流放電保護閾值（ VEDI ），且
持續(xù)時間超過過電壓充電恢復(fù)延遲時間（ tOCR ) 。（在 Q1 導(dǎo)通以前， VM

將比 充	V SS 端高一個二極管的導(dǎo)通 控制 N-MOSFET 管 Q1 回

壓降）。 PW7152 恢復(fù)到正常狀態(tài)以后，充電控制端 COUT 到導(dǎo)通狀態(tài)。
過電壓放電保護/低功耗狀態(tài)（OD/PDWN)
保護條件
正常狀態(tài)下，如果電池放電使使任何一個電池電壓（VBATU /VBATD ）低于過電壓放電保護閾值（VODU/D ），且
持續(xù)時間超過過電壓放電保護延遲時間（tOD ）， 則 PW7152 將使放電控制端 DOUT 由高電平轉(zhuǎn)為 VSS 端電平（低
電平），從而使外接放電控制 N-MOSFET 管 Q2 關(guān)閉，放電回路被“切斷”，即 PW7152 進入過電壓放電保護狀態(tài)。
同時， VM 端電壓將通過內(nèi)部電阻 RVMD 被上拉到 VDD 。 在過電壓放電保護狀態(tài)下， VM 端（亦即 VDD 端） 電壓
總是高于電池短路保護閾值（VSHORT ），滿足此條件后，電路會進入“省電” 的低功耗模式。此時， VDD 端的電流將
低于 2.1μA。
恢復(fù)條件
對于處在低功耗模式下電路， 如果對電池進行充電（同樣，由于 Q2 體內(nèi)二極管的存在，此時的充電回路也
是存在的）， 使 VM 端電壓低于電池短路保護閾值（VSHORT ），則 PW7152 將恢復(fù)到過電壓放電保護狀態(tài)， 此時，
放電控制端 DOUT 仍為低電平， Q2 還是關(guān)閉的。 如果此時停止充電，由于 VM 端仍被 RVMD 上拉到 VDD ， 大于
電池短路保護閾值（ VSHORT ），因此 PW7152 又將回到低功耗模式；只有繼續(xù)對電池充電，當兩個電池電壓
（VBATU /VBATD ）都大于過電壓放電保護閾值（VODU/D ） 時， PW7152 才可從過電壓放電保護狀態(tài)恢復(fù)到正常狀
態(tài)。
如果不使用充電器，由于電池去掉負載后的“自升壓”，可能會使兩個電池電壓（VBATU /VBATD ） 超過過電壓放
電恢復(fù)閾值（VODRU/D ）， 且持續(xù)時間超過過電壓放電恢復(fù)延遲時間（tODR ）， 此時 PW7152 也將從過電壓放電保
護狀態(tài)或低功耗模式恢復(fù)到正常狀態(tài)。
PW7152 恢復(fù)到正常狀態(tài)以后，放電控制端 DOUT 將輸出高電平，使外接放電控制 N-MOSFET 管 Q2 回到
導(dǎo)通狀態(tài)。
過電流放電/電池短路保護狀態(tài)(EDI)
保護條件
正常狀態(tài)下， PW7152 通過負載對電池放電， VM 端電壓將隨放電電流的增加而升高。如果放電電流增加使
VM 端電壓超過過電流放電保護閾值（VEDI ）， 低于電池短路保護閾值（VSHORT ）， 且持續(xù)時間超過過電流放電保
護延遲時間（tEDI ），則 PW7152 進入過電流放電保護狀態(tài)；如果放電電流進一步增加使 VM 端電壓超過電池短路
保護閾值（VSHORT ），且持續(xù)時間超過短路延遲時間（ tSHORT ），則 PW7152 進入電池短路保護狀態(tài)。 PW7152 處
于過電流放電 / 電池短路保護狀態(tài)時， DOUT 端將由高電平轉(zhuǎn)為 VSS 端電平，從而使外接放電控制 N-MOSFET 管
Q2 關(guān)閉，放電回路被 “ 切斷 ” ；同時， VM 端將通過內(nèi)部電阻 RVMS 連接到 VSS ，放電負載取消后， VM 端電平即
變?yōu)? VSS 端電平。
恢復(fù)條件
在過電流放電 / 電池短路保護狀態(tài)下，當 VM 端電壓由高降低至低于過電流放電保護閾值（ VEDI ），且持續(xù)時間
超過過電流放電恢復(fù)延遲時間（tEDIR ），則 PW7152 可恢復(fù)到正常狀態(tài)。因此，在過電流放電 / 電池短路保護狀態(tài)
下，當所有的放電負載取消后， PW7152 即可 “ 自恢復(fù) ” 。
PW7152 恢復(fù)到正常狀態(tài)以后，放電控制端 DOUT 將輸出高電平，使外接放電控制 N-MOSFET 管 Q2 回到
導(dǎo)通狀態(tài)。
過電流充電保護狀態(tài) (ECI) ：
保護條件
正常狀態(tài)下，使用充電器對電池進行充電， VM 端電壓將隨充電電流的增加而降低。如果充電電流增加使 VM
端電壓低于過電流充電保護閾值（ VECI

時間 MO

（ t ECI ），則 PW7152 將使充 FET 管 Q1 關(guān)閉，充電回路

電控制端 COUT 由高電平轉(zhuǎn)為 VM 端電平（低電平），從而使外接充電控制 N- 被 “ 切斷 ” ，即 PW7152 進入過電流充電保護狀態(tài)。
恢復(fù)條件
在過電流充電保護狀態(tài)，如果取消充電器，則 VM 端電壓將會升高，當它大于過電流充電保護閾值（ VECI ），
且持續(xù)時間超過過電流充電恢復(fù)延遲時間（ tECIR ）， PW7152 將恢復(fù)到正常狀態(tài)。
PW7152 恢復(fù)到正常狀態(tài)以后，充電控制端 COUT 將輸出高電平，使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 回到
導(dǎo)通狀態(tài)。延遲時間縮短測試功能當 VM 小于 -5V ， VDD 從 0V 升高至正常值時，芯片將進入快速檢測模式，縮
短延遲時間，并禁止過電流充電保護功能。過電壓充電檢測和過電壓放電檢測延遲時間會縮短到將近 1ms ， 這可
以有效地縮短保護電路 PCB 的檢測時間。當 VM 升高至 0V 以上時，芯片將退出快速
0V 電池充電
PW7152 的 0V 電池充電功能可以對電壓為 0V 的電池進行再充電。 如果使用充電器對電池充電，使 VDD
端相對 VM 端的電壓大于 0V 充電閾值（ V0CHA ） 時，其充電控制端 COUT 將被連接到 VDD 端。若該電壓能夠
使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 導(dǎo)通，則通過放電控制 N-MOSFET 管 Q2 的體內(nèi)二極管可以形成一個充電
回路，使電池電壓升高；當電池電壓升高致使 VDD 端電壓超過過電壓放電保護閾值（ VODU/D ） 時， PW7152
將回到正常狀態(tài)，同時放電控制端 COUT 輸出高電平，使外接放電控制 N-MOSFET ， Q2 處于導(dǎo)通狀態(tài)。
R1、 R2 和 R3 的確定：
R1 和 R2 用于穩(wěn)定芯片的供電電壓， 推薦分別使用 330Ω 的電阻。 如果 R1 和 R2 太大，芯片的導(dǎo)通電流
會導(dǎo)致檢測電壓上升，使各檢測閾值與電池實際電壓偏差增加；同時，如果充電器接反，可能會使 PW7152 電路
的 VDD 端與 VSS 端電壓超過極限值，導(dǎo)致電路損壞， 因此 R1 和 R2 也不宜太小， 一般控制在 100Ω 至 470Ω
之間。在充電器反接或連接充電電壓高于極限值的充電器時， R3 起限制電流的作用。 如果 R3 太小， 由于充電
器的反接在芯片內(nèi)部流入容許功耗以上的電流，有導(dǎo)致芯片損壞的危險。 R3 連接過大電阻，當連接高電壓充電器
時，有可能導(dǎo)致不能切斷充電電流的情況發(fā)生。因此， R3 應(yīng)控制在 1kΩ 至 4KΩ 之間。
C1 和 C2 的確定
C1 和 C2 有穩(wěn)定 VDD 電壓的作用，盡量選用大于或等于 0.1μF 的電容。